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描述
的nce609采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低门电荷。互补MOSFET可用于形成电平移位的高侧开关，并且用于许多其它应用。
一般特征
●N沟道
VDS = 40V，我a 21a
RDS（ON）< 19mΩ@ V GS = 10v
RDS（ON）< 29mΩ@ V GS = 4.5v
●P沟道
VDS = - 40V，我a - 14a
RDS（ON）< 35mΩ@ V GS = -10V
RDS（ON）< 45mΩ@ V GS = 4.5v
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
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Enterprise QQ: 2885770488
operating hours: Monday to Friday 8:30-18:00
