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P沟道 30V 25A NCE30P25S 场效应管(MOSFET)

P沟道 漏源电压(Vdss):

30V 连续漏极电流(Id):

25A 功率(Pd):3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):

9mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):

2.5V@250uA P沟道,-30V,-25A,9mΩ@-10V

品  牌: NCE(无锡新洁能)

厂家型号: NCE30P25S

封装: SOIC-8_150mil

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A
功率(Pd)3.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)9mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

NCE30P25S.jpg

深圳市赛明电子有限公司  陈工:18929306675



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