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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：
800V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：
35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：
260mΩ@10V,8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：
3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：
36nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：
2.06nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds)：
0.5pF@50V 工作温度：-55℃~+150℃@(T
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 功率(Pd) | 35W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@10V,8.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.06nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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