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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：
21A 功率(Pd)：33.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：
180mΩ@10V,10.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 功率(Pd) | 33.8W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,10.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
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