Your shopping cart is empty! Please select the type which you want.
N沟道 漏源电压(Vdss)：
650V 连续漏极电流(Id)：
11.5A 功率(Pd)：32.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：
360mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：
4V@250uA
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 功率(Pd) | 32.6W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 360mΩ@10V,7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
深圳市赛明电子有限公司 陈工：18929306675
Follow the public account to send surprise benefits
Enterprise QQ: 2885770488
operating hours: Monday to Friday 8:30-18:00
