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N沟道 漏源电压(Vdss)：
150V 连续漏极电流(Id)：
140A 功率(Pd)：340W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：
5.6mΩ@10V,70A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：
3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：
80nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：
5.9nF@75V 反向传输电容(Crss@Vds)：
7pF@75V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 功率(Pd) | 340W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.6mΩ@10V,70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.9nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
深圳市赛明电子有限公司 陈工：18929306675
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