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NCE30P50G使用先进的沟槽技术和设计用于多种应用。

描述
NCE30P50G使用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。 它可以用于多种应用。

一般特征
●VDS = -30V，ID = -50A
     RDS（ON）<7mΩ@ VGS = -10V
●高密度电池设计，超低Rdson
●全面表征雪崩电压和电流
●高EAS的稳定性和均匀性
●出色的封装，散热效果好
●特殊的处理技术可实现高ESD能力
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