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第二代高压超结(Super Juntion)MOSFET技术

第二代高压超结(Super Juntion)MOSFET技术


采用先进的耐压原理和优化的设计结构,全新700~900V SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量,简化系统设计难度,提高系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需求。

 

 

特性:

-更高的耐压为系统设计和应用提供更充足的余量

-更低的导通电阻,利于降低导通损耗

-极低的栅极电荷,提供更快的开关速度

-同规格下更小的封装体积,使系统更轻便

- 100%雪崩能力测试,确保产品质量可靠

应用:

-正激电路

-准谐振反激电路

-适配器

-太阳能逆变器

-工业整流

 

 

性能卓越


 

121212.png

 

选择指南


 

Vce

R(on)

SOP-8

TO-251S

TO-251

TO-252

TO-263

TO-220F

TO-220

  .

C1.png

C2.png

C3.png

C4.png

C5.png

C6.png C7.png

700V

1.2Ω

NCE70R1K2S

NCE70R1K2L

NCE70R1K2I

NCE70R1K2K

NCE70R1K2D

NCE70R1K2F

NCE70R1K2

700V

0.87Ω

-

NCE70R900L

NCE70R900I

NCE70R900K

NCE70R900D

NCE70R900F

NCE70R900

700V

0.54Ω

-

NCE70R540L

NCE70R540I

NCE70R540K

NCE70R540D

NCE70R540F

NCE70R540

700V

0.36Ω

-

-

-

NCE70R360K

NCE70R360D

NCE70R360F

NCE70R360

700V

0.26Ω

-

-

-

-

NCE70R260D

NCE70R260F

NCE70R260

700V

0.17Ω

-

-

-

-

-

NCE70R180F

NCE70R180

800V

1.0Ω

-

NCE80R1K2L

NCE80R1K2I

NCE80R1K2K

NCE80R1K2D

NCE80R1K2F

NCE80R1K2

800V

0.82Ω

-

NCE80R900L

NCE80R900K

NCE80R900D

NCE80R900F

NCE80R900F

NCE80R900

900V

1.0Ω

-

NCE90R1K2L

NCE90R1K2I

NCE90R1K2K

NCE90R1K2D

NCE90R1K2F

NCE90R1K2


 

The program required bill of materials: Estimated Total Price:¥ 14.5
Material Name Single Set Of Dosage Estimated Unit Price
NCE70R1K2 1 ¥ 3.000000 Inquiry
NCE70R1K2K 1 ¥ 1.800000 Inquiry
NCE70R1K2L 1 ¥ 2.000000 Inquiry
NCE70R1K2F 1 ¥ 2.500000 Inquiry
NCE70R1K2S 1 ¥ 1.800000 Inquiry
NCE70R1K2I 1 ¥ 1.200000 Inquiry
NCE70R1K2D 1 ¥ 2.200000 Inquiry
Purchase Quantity: Sets

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