描述
nce6075k采用先进的沟槽技术和设计,提供优良的RDS(ON)和低门电荷。它可用于多种用途。
一般特征
●VDS = 60V,ID = 75a
RDS(ON)< 11.5mΩ@ VGS = 10v(典型值:9.1mΩ
●高密度电池设计超低导通电阻
●完全表征雪崩电压和电流
●稳定性好,均匀度高,
●优良的封装散热性好
高ESD能力●特殊工艺技术
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