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类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：
60V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：
2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：
35mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：
2.5V@250uA 双N沟道，60V，5A，26毫欧，并联用可达10A，
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 功率(Pd) | 2W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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